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NVJD5121NT1G-M06

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Pour Référence Seulement

Référence NVJD5121NT1G-M06
Fabricant onsemi
Description MOSFET 2N-CH 60V 0.295A SC88
Fiche technique
paquet -
ECAD
En stock 43 410 piece(s)
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Spécifications NVJD5121NT1G-M06

Fabricantonsemi
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Matrices
paquet-
ECAD
Séries-
Type de FETMOSFET (Metal Oxide)
Fonction FET-
Tension de drain à la source (Vdss)60V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C295mA (Ta)
Rds sur (max) @ id, vgs1.6Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs0.9nC @ 4.5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds26pF @ 20V
Puissance - Max250mW (Ta)
Température de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Paquet / cas6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Package de périphérique fournisseurSC-88/SC70-6/SOT-363

NVJD5121NT1G-M06 Packaging

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Sealing
Packing
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NVJD5121NT1G-M06 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that NVJD5121NT1G-M06 is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the NVJD5121NT1G-M06 price and inventory displayed accurate?
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