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NVH4L030N120M3S

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Pour Référence Seulement

Référence NVH4L030N120M3S
Fabricant onsemi
Description SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET-ELI
Fiche technique
paquet -
ECAD
En stock 1 290 piece(s)
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Spécifications NVH4L030N120M3S

Fabricantonsemi
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet-
ECAD
Séries-
Type de FETN-Channel
La technologieSiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Tension de drain à la source (Vdss)1200 V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C73A (Tc)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)18V
Vgs (th) (Max) @ Id4.4V @ 15mA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs107 nC @ 18 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds2430 pF @ 800 V
Vgs (Max)+22V, -10V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)313W (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs39mOhm @ 30A, 18V
Température de fonctionnement-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montageThrough Hole
Package de périphérique fournisseurTO-247-4L
Paquet / casTO-247-4

NVH4L030N120M3S Packaging

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Sealing
Packing
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NVH4L030N120M3S FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that NVH4L030N120M3S is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the NVH4L030N120M3S price and inventory displayed accurate?
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  • 6. What is the process for return or replacement of NVH4L030N120M3S?
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