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NVH4L022N120M3S

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Pour Référence Seulement

Référence NVH4L022N120M3S
Fabricant onsemi
Description SIC MOS TO247-4L 22MOHM 1200V
Fiche technique
paquet -
ECAD
En stock 2 637 piece(s)
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Spécifications NVH4L022N120M3S

Fabricantonsemi
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet-
ECAD
Séries-
Type de FETN-Channel
La technologieSiCFET (Silicon Carbide)
Tension de drain à la source (Vdss)1200 V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C68A (Tc)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)18V
Vgs (th) (Max) @ Id4.4V @ 20mA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs151 nC @ 18 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds3175 pF @ 800 V
Vgs (Max)+22V, -10V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)352W (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs30mOhm @ 40A, 18V
Température de fonctionnement-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montageThrough Hole
Package de périphérique fournisseurTO-247-4L
Paquet / casTO-247-4

NVH4L022N120M3S Packaging

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Sealing
Packing
Insepction

NVH4L022N120M3S FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that NVH4L022N120M3S is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the NVH4L022N120M3S. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including NVH4L022N120M3S on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of NVH4L022N120M3S products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the NVH4L022N120M3S price and inventory displayed accurate?
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  • 4. What forms of payment are accepted?
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  • 5. How is the shipping arranged?
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  • 6. What is the process for return or replacement of NVH4L022N120M3S?
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    (2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of NVH4L022N120M3S.
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    (1)Inform us within 90 days
    (2)Obtain Requesting Return Authorizations
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