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NVH4L015N065SC1

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NVH4L015N065SC1

Pour Référence Seulement

Référence NVH4L015N065SC1
Fabricant onsemi
Description SIC MOS TO247-4L 650V
Fiche technique
paquet -
ECAD
En stock 1 230 piece(s)
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Spécifications NVH4L015N065SC1

Fabricantonsemi
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet-
ECAD
Séries-
Type de FETN-Channel
La technologieSiCFET (Silicon Carbide)
Tension de drain à la source (Vdss)650 V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C142A (Tc)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)15V, 18V
Vgs (th) (Max) @ Id4.3V @ 25mA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs283 nC @ 18 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds4790 pF @ 325 V
Vgs (Max)+22V, -8V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)500W (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs18mOhm @ 75A, 18V
Température de fonctionnement-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montageThrough Hole
Package de périphérique fournisseurTO-247-4L
Paquet / casTO-247-4

NVH4L015N065SC1 Packaging

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Sealing
Packing
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NVH4L015N065SC1 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that NVH4L015N065SC1 is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the NVH4L015N065SC1 price and inventory displayed accurate?
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  • 4. What forms of payment are accepted?
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  • 5. How is the shipping arranged?
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  • 6. What is the process for return or replacement of NVH4L015N065SC1?
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    (3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.
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    (1)Inform us within 90 days
    (2)Obtain Requesting Return Authorizations
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