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NVC6S5A444NLZT2G

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NVC6S5A444NLZT2G

Pour Référence Seulement

Référence NVC6S5A444NLZT2G
Fabricant onsemi
Description MOSFET N-CH 60V 3.5A 6CPH
Fiche technique
paquet -
ECAD
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Spécifications NVC6S5A444NLZT2G

Fabricantonsemi
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet-
ECAD
Séries-
Type de FETN-Channel
La technologieMOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)60 V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C3.5A (Ta)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.6V @ 1mA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs10 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds505 pF @ 20 V
Vgs (Max)±20V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)970mW (Ta)
Rds sur (max) @ id, vgs78mOhm @ 2A, 10V
Température de fonctionnement-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Package de périphérique fournisseur6-CPH
Paquet / casSOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

NVC6S5A444NLZT2G Packaging

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Sealing
Packing
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NVC6S5A444NLZT2G FAQ

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