Name: NVBG070N120M3S
Brand: onsemi
SKU: NVBG070N120M3S
Availability: InStock
Rating: 5 (171 reviews)

NVBG070N120M3S

Pour Référence Seulement

Référence	NVBG070N120M3S
Fabricant	onsemi
Description	SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET-ELI
Fiche technique
paquet	-
ECAD
En stock	2 238 piece(s)
Prix unitaire	Request a Quote
Délai de mise en œuvre	VÊtre confirmé
Temps de livraison estimé	juil. 9 - juil. 14 (Choisissez l'expédition accélérée)
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Spécifications NVBG070N120M3S

Fabricant	onsemi
Catégorie	Produits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet	-
ECAD
Séries	-
Type de FET	N-Channel
La technologie	SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Tension de drain à la source (Vdss)	1200 V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	36A (Tc)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	18V
Vgs (th) (Max) @ Id	4.4V @ 7mA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	57 nC @ 18 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1230 pF @ 800 V
Vgs (Max)	+22V, -10V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max)	172W (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs	87mOhm @ 15A, 18V
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de périphérique fournisseur	D2PAK-7
Paquet / cas	TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA

NVBG070N120M3S Packaging

NVBG070N120M3S FAQ

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(2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of NVBG070N120M3S.

(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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