Name: NVBG030N120M3S
Brand: onsemi
SKU: NVBG030N120M3S
Availability: InStock
Rating: 5 (122 reviews)

NVBG030N120M3S

Pour Référence Seulement

Référence	NVBG030N120M3S
Fabricant	onsemi
Description	SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - E
Fiche technique
paquet	-
ECAD
En stock	2 340 piece(s)
Prix unitaire	Request a Quote
Délai de mise en œuvre	VÊtre confirmé
Temps de livraison estimé	juil. 6 - juil. 11 (Choisissez l'expédition accélérée)
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Spécifications NVBG030N120M3S

Fabricant	onsemi
Catégorie	Produits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet	-
ECAD
Séries	-
Type de FET	N-Channel
La technologie	SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Tension de drain à la source (Vdss)	1200 V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	77A (Tc)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	18V
Vgs (th) (Max) @ Id	4.4V @ 15mA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	107 nC @ 18 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	2430 pF @ 800 V
Vgs (Max)	+22V, -10V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max)	348W (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs	39mOhm @ 30A, 18V
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de périphérique fournisseur	D2PAK-7
Paquet / cas	TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA

NVBG030N120M3S Packaging

NVBG030N120M3S FAQ

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(2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of NVBG030N120M3S.

(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

Two processes to return the products:

(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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