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NVB190N65S3F

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NVB190N65S3F

Pour Référence Seulement

Référence NVB190N65S3F
Fabricant onsemi
Description MOSFET N-CH 650V 20A D2PAK-3
Fiche technique
paquet -
ECAD
En stock 2 256 piece(s)
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Spécifications NVB190N65S3F

Fabricantonsemi
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet-
ECAD
SériesSuperFET® III
Type de FETN-Channel
La technologieMOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)650 V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C20A (Tc)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)10V
Vgs (th) (Max) @ Id5V @ 430µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs34 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds1605 pF @ 400 V
Vgs (Max)±30V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)162W (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs190mOhm @ 10A, 10V
Température de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Package de périphérique fournisseurTO-263 (D2PAK)
Paquet / casTO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

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Packing
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  • 4. What forms of payment are accepted?
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  • 5. How is the shipping arranged?
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  • 6. What is the process for return or replacement of NVB190N65S3F?
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