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NTMTSC002N10MCTXG

NTMTSC002N10MCTXG

NTMTSC002N10MCTXG

Pour Référence Seulement

Référence NTMTSC002N10MCTXG
Fabricant onsemi
Description MOSFET N-CH 100V 45A/236A 8TDFNW
Fiche technique
paquet -
ECAD
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Spécifications NTMTSC002N10MCTXG

Fabricantonsemi
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet-
ECAD
Séries-
Type de FETN-Channel
La technologieMOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)100 V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C45A (Ta), 236A (Tc)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)-
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 520µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs89 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds6305 pF @ 50 V
Vgs (Max)±20V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)9W (Ta), 255W (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs2mOhm @ 90A, 10V
Température de fonctionnement-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montageSurface Mount, Wettable Flank
Package de périphérique fournisseur8-TDFNW (8.3x8.4)
Paquet / cas8-PowerTDFN

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Packing
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NTMTSC002N10MCTXG FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that NTMTSC002N10MCTXG is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the NTMTSC002N10MCTXG price and inventory displayed accurate?
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