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NTHL125N65S3H

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NTHL125N65S3H

Pour Référence Seulement

Référence NTHL125N65S3H
Fabricant onsemi
Description POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
Fiche technique
paquet -
ECAD
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Spécifications NTHL125N65S3H

Fabricantonsemi
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet-
ECAD
SériesSuperFET® III
Type de FETN-Channel
La technologieMOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)650 V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C24A (Tc)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 2.1mA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs44 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds2200 pF @ 400 V
Vgs (Max)±30V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)171W (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs125mOhm @ 12A, 10V
Température de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montageThrough Hole
Package de périphérique fournisseurTO-247-3
Paquet / casTO-247-3

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Packing
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NTHL125N65S3H FAQ

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  • 5. How is the shipping arranged?
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