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NTHL082N65S3F

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NTHL082N65S3F

Pour Référence Seulement

Référence NTHL082N65S3F
Fabricant onsemi
Description MOSFET N-CH 650V 40A TO247-3
Fiche technique
paquet -
ECAD
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Spécifications NTHL082N65S3F

Fabricantonsemi
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet-
ECAD
SériesSuperFET® III
Type de FETN-Channel
La technologieMOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)650 V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C40A (Tc)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)10V
Vgs (th) (Max) @ Id5V @ 4mA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs81 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds3410 pF @ 400 V
Vgs (Max)±30V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)313W (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs82mOhm @ 20A, 10V
Température de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montageThrough Hole
Package de périphérique fournisseurTO-247-3
Paquet / casTO-247-3

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Packing
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NTHL082N65S3F FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that NTHL082N65S3F is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the NTHL082N65S3F price and inventory displayed accurate?
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  • 4. What forms of payment are accepted?
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  • 5. How is the shipping arranged?
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  • 6. What is the process for return or replacement of NTHL082N65S3F?
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