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NTHL060N090SC1

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NTHL060N090SC1

Pour Référence Seulement

Référence NTHL060N090SC1
Fabricant onsemi
Description SICFET N-CH 900V 46A TO247-3
Fiche technique
paquet -
ECAD
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Spécifications NTHL060N090SC1

Fabricantonsemi
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet-
ECAD
Séries-
Type de FETN-Channel
La technologieSiCFET (Silicon Carbide)
Tension de drain à la source (Vdss)900 V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C46A (Tc)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)15V
Vgs (th) (Max) @ Id4.3V @ 5mA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs87 nC @ 15 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds1770 pF @ 450 V
Vgs (Max)+19V, -10V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)221W (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs84mOhm @ 20A, 15V
Température de fonctionnement-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montageThrough Hole
Package de périphérique fournisseurTO-247-3
Paquet / casTO-247-3

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Packing
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NTHL060N090SC1 FAQ

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  • 3. Are the NTHL060N090SC1 price and inventory displayed accurate?
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  • 4. What forms of payment are accepted?
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  • 5. How is the shipping arranged?
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    (1)Inform us within 90 days
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