Name: NTH4LN019N65S3H
Brand: onsemi
SKU: NTH4LN019N65S3H
Availability: InStock
Rating: 5 (132 reviews)

NTH4LN019N65S3H

Pour Référence Seulement

Référence	NTH4LN019N65S3H
Fabricant	onsemi
Description	POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
Fiche technique
paquet	-
ECAD
En stock	0 piece(s)
Prix unitaire	Request a Quote
Délai de mise en œuvre	VÊtre confirmé
Temps de livraison estimé	oct. 22 - oct. 27 (Choisissez l'expédition accélérée)
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Spécifications NTH4LN019N65S3H

Fabricant	onsemi
Catégorie	Produits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet	-
ECAD
Séries	SuperFET® III
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)	650 V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	75A (Tc)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 14.3mA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	282 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	15993 pF @ 400 V
Vgs (Max)	±30V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max)	625W (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs	19.3mOhm @ 37.5A, 10V
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Package de périphérique fournisseur	TO-247-4
Paquet / cas	TO-247-4

NTH4LN019N65S3H Packaging

NTH4LN019N65S3H FAQ

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All goods will implement Pre-Shipment Inspection (PSI), selected at random from all batches of your order to do a systematic inspection before arranging the shipment. If there is something wrong with the NTH4LN019N65S3H we delivered, we will accept the replacement or return of the NTH4LN019N65S3H only when all of the below conditions are fulfilled:

(1)Such as a deficiency in quantity, delivery of wrong items, and apparent external defects (breakage and rust, etc.), and we acknowledge such problems.

(2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of NTH4LN019N65S3H.

(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

Two processes to return the products:

(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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