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NTH4L080N120SC1

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Pour Référence Seulement

Référence NTH4L080N120SC1
Fabricant onsemi
Description SICFET N-CH 1200V 29A TO247-4
Fiche technique
paquet -
ECAD
En stock 1 290 piece(s)
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Spécifications NTH4L080N120SC1

Fabricantonsemi
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet-
ECAD
Séries-
Type de FETN-Channel
La technologieSiCFET (Silicon Carbide)
Tension de drain à la source (Vdss)1200 V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C29A (Tc)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)20V
Vgs (th) (Max) @ Id4.3V @ 5mA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs56 nC @ 20 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds1670 pF @ 800 V
Vgs (Max)+25V, -15V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)170W (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs110mOhm @ 20A, 20V
Température de fonctionnement-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montageThrough Hole
Package de périphérique fournisseurTO-247-4L
Paquet / casTO-247-4

NTH4L080N120SC1 Packaging

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Sealing
Packing
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NTH4L080N120SC1 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that NTH4L080N120SC1 is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 4. What forms of payment are accepted?
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  • 5. How is the shipping arranged?
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    Warm Tips: It may take up to 24 hours for the carriers to display tracking information. Usually, express delivery takes 3-5 days, and registered mail takes 25-60 days.
  • 6. What is the process for return or replacement of NTH4L080N120SC1?
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    (3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.
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    (1)Inform us within 90 days
    (2)Obtain Requesting Return Authorizations
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