Name: NTH4L030N120M3S
Brand: onsemi
SKU: NTH4L030N120M3S
Availability: InStock
Rating: 5 (75 reviews)

NTH4L030N120M3S

Pour Référence Seulement

Référence	NTH4L030N120M3S
Fabricant	onsemi
Description	SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET EL
Fiche technique
paquet	-
ECAD
En stock	960 piece(s)
Prix unitaire	Request a Quote
Délai de mise en œuvre	VÊtre confirmé
Temps de livraison estimé	nov. 3 - nov. 8 (Choisissez l'expédition accélérée)
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Spécifications NTH4L030N120M3S

Fabricant	onsemi
Catégorie	Produits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet	-
ECAD
Séries	-
Type de FET	N-Channel
La technologie	SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Tension de drain à la source (Vdss)	1200 V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	73A (Tc)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	18V
Vgs (th) (Max) @ Id	4.4V @ 15mA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	107 nC @ 18 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	2430 pF @ 800 V
Vgs (Max)	+22V, -10V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max)	313W (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs	39mOhm @ 30A, 18V
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Package de périphérique fournisseur	TO-247-4L
Paquet / cas	TO-247-4

NTH4L030N120M3S Packaging

NTH4L030N120M3S FAQ

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(2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of NTH4L030N120M3S.

(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

Two processes to return the products:

(1)Inform us within 90 days

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