Name: NTH4L025N065SC1
Brand: onsemi
SKU: NTH4L025N065SC1
Availability: InStock
Rating: 5 (141 reviews)

NTH4L025N065SC1

Pour Référence Seulement

Référence	NTH4L025N065SC1
Fabricant	onsemi
Description	SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - 1
Fiche technique
paquet	-
ECAD
En stock	873 piece(s)
Prix unitaire	Request a Quote
Délai de mise en œuvre	VÊtre confirmé
Temps de livraison estimé	déc. 26 - déc. 31 (Choisissez l'expédition accélérée)
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Spécifications NTH4L025N065SC1

Fabricant	onsemi
Catégorie	Produits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet	-
ECAD
Séries	-
Type de FET	N-Channel
La technologie	SiCFET (Silicon Carbide)
Tension de drain à la source (Vdss)	650 V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	99A (Tc)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	15V, 18V
Vgs (th) (Max) @ Id	4.3V @ 15.5mA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	164 nC @ 18 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	3480 pF @ 15 V
Vgs (Max)	+22V, -8V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max)	348W (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs	28.5mOhm @ 45A, 18V
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Package de périphérique fournisseur	TO-247-4L
Paquet / cas	TO-247-4

NTH4L025N065SC1 Packaging

NTH4L025N065SC1 FAQ

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(2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of NTH4L025N065SC1.

(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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