Name: NTH4L014N120M3P
Brand: onsemi
SKU: NTH4L014N120M3P
Availability: InStock
Rating: 5 (194 reviews)

NTH4L014N120M3P

Pour Référence Seulement

Référence	NTH4L014N120M3P
Fabricant	onsemi
Description	SIC MOSFET 1200 V 14 MOHM M3P SE
Fiche technique
paquet	-
ECAD
En stock	588 piece(s)
Prix unitaire	Request a Quote
Délai de mise en œuvre	VÊtre confirmé
Temps de livraison estimé	juil. 9 - juil. 14 (Choisissez l'expédition accélérée)
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Spécifications NTH4L014N120M3P

Fabricant	onsemi
Catégorie	Produits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet	-
ECAD
Séries	-
Type de FET	N-Channel
La technologie	SiCFET (Silicon Carbide)
Tension de drain à la source (Vdss)	1200 V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	127A (Tc)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	15V, 18V
Vgs (th) (Max) @ Id	4.63V @ 37mA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	329 nC @ 18 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	6230 pF @ 800 V
Vgs (Max)	+22V, -10V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max)	686W (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs	20mOhm @ 74A, 18V
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Package de périphérique fournisseur	TO-247-4L
Paquet / cas	TO-247-4

NTH4L014N120M3P Packaging

NTH4L014N120M3P FAQ

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(2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of NTH4L014N120M3P.

(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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