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NTGD4169FT1G

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NTGD4169FT1G

Pour Référence Seulement

Référence NTGD4169FT1G
Fabricant ON Semiconductor
Description MOSFET N-CH 30V 2.6A 6-TSOP
Fiche technique
paquet SOT-23-6
ECAD
En stock 360 012 piece(s)
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Spécifications NTGD4169FT1G

FabricantON Semiconductor
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquetSOT-23-6
ECAD
Séries-
Type de FETN-Channel
La technologieMOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)30V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C2.6A (Ta)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1.5V @ 250µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs5.5nC @ 4.5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds295pF @ 15V
Vgs (Max)±12V
Fonction FETSchottky Diode (Isolated)
Dissipation de puissance (max)900mW (Ta)
Rds sur (max) @ id, vgs90 mOhm @ 2.6A, 4.5V
Température de fonctionnement-25°C ~ 150°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Package de périphérique fournisseur6-TSOP
Paquet / casSOT-23-6

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NTGD4169FT1G FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that NTGD4169FT1G is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the NTGD4169FT1G. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including NTGD4169FT1G on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of NTGD4169FT1G products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the NTGD4169FT1G price and inventory displayed accurate?
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  • 6. What is the process for return or replacement of NTGD4169FT1G?
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