Name: NTC080N120SC1
Brand: onsemi
SKU: NTC080N120SC1
Availability: InStock
Rating: 5 (106 reviews)

NTC080N120SC1

Pour Référence Seulement

Référence	NTC080N120SC1
Fabricant	onsemi
Description	SIC MOS WAFER SALES 80MOHM 1200V
Fiche technique
paquet	-
ECAD
En stock	0 piece(s)
Prix unitaire	Request a Quote
Délai de mise en œuvre	VÊtre confirmé
Temps de livraison estimé	oct. 27 - nov. 1 (Choisissez l'expédition accélérée)
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Spécifications NTC080N120SC1

Fabricant	onsemi
Catégorie	Produits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet	-
ECAD
Séries	-
Type de FET	N-Channel
La technologie	SiCFET (Silicon Carbide)
Tension de drain à la source (Vdss)	1200 V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	31A (Tc)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	20V
Vgs (th) (Max) @ Id	4.3V @ 5mA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	56 nC @ 20 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1112 pF @ 800 V
Vgs (Max)	+25V, -15V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max)	178W (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs	110mOhm @ 20A, 20V
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de périphérique fournisseur	Die
Paquet / cas	Die

NTC080N120SC1 Packaging

NTC080N120SC1 FAQ

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(1)Such as a deficiency in quantity, delivery of wrong items, and apparent external defects (breakage and rust, etc.), and we acknowledge such problems.

(2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of NTC080N120SC1.

(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

Two processes to return the products:

(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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