Name: NTBG1000N170M1
Brand: onsemi
SKU: NTBG1000N170M1
Availability: InStock
Rating: 5 (137 reviews)

NTBG1000N170M1

Pour Référence Seulement

Référence	NTBG1000N170M1
Fabricant	onsemi
Description	SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET EL
Fiche technique
paquet	-
ECAD
En stock	2 118 piece(s)
Prix unitaire	Request a Quote
Délai de mise en œuvre	VÊtre confirmé
Temps de livraison estimé	juil. 4 - juil. 9 (Choisissez l'expédition accélérée)
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Spécifications NTBG1000N170M1

Fabricant	onsemi
Catégorie	Produits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet	-
ECAD
Séries	-
Type de FET	N-Channel
La technologie	SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Tension de drain à la source (Vdss)	1700 V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	4.3A (Tc)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	20V
Vgs (th) (Max) @ Id	4.3V @ 640µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	14 nC @ 20 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	150 pF @ 1000 V
Vgs (Max)	+25V, -15V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max)	51W (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs	1.43Ohm @ 2A, 20V
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de périphérique fournisseur	D2PAK-7
Paquet / cas	TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA

NTBG1000N170M1 Packaging

NTBG1000N170M1 FAQ

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(1)Such as a deficiency in quantity, delivery of wrong items, and apparent external defects (breakage and rust, etc.), and we acknowledge such problems.

(2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of NTBG1000N170M1.

(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

Two processes to return the products:

(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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