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NTBG030N120M3S

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NTBG030N120M3S

Pour Référence Seulement

Référence NTBG030N120M3S
Fabricant onsemi
Description SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - E
Fiche technique
paquet -
ECAD
En stock 2 394 piece(s)
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Spécifications NTBG030N120M3S

Fabricantonsemi
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet-
ECAD
Séries-
Type de FETN-Channel
La technologieSiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Tension de drain à la source (Vdss)1200 V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C77A (Tc)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)18V
Vgs (th) (Max) @ Id4.4V @ 15mA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs107 nC @ 18 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds2430 pF @ 800 V
Vgs (Max)+22V, -10V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)348W (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs39mOhm @ 30A, 18V
Température de fonctionnement-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Package de périphérique fournisseurD2PAK-7
Paquet / casTO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA

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Sealing
Packing
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  • 3. Are the NTBG030N120M3S price and inventory displayed accurate?
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