Name: NTBG028N170M1
Brand: onsemi
SKU: NTBG028N170M1
Availability: InStock
Rating: 5 (169 reviews)

NTBG028N170M1

Pour Référence Seulement

Référence	NTBG028N170M1
Fabricant	onsemi
Description	SIC MOSFET 1700 V 28 MOHM M1 SER
Fiche technique
paquet	-
ECAD
En stock	2 283 piece(s)
Prix unitaire	Request a Quote
Délai de mise en œuvre	VÊtre confirmé
Temps de livraison estimé	oct. 26 - oct. 31 (Choisissez l'expédition accélérée)
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Spécifications NTBG028N170M1

Fabricant	onsemi
Catégorie	Produits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet	-
ECAD
Séries	-
Type de FET	N-Channel
La technologie	SiCFET (Silicon Carbide)
Tension de drain à la source (Vdss)	1700 V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	71A (Tc)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	20V
Vgs (th) (Max) @ Id	4.3V @ 20mA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	222 nC @ 20 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	4160 pF @ 800 V
Vgs (Max)	+25V, -15V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max)	428W (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs	40mOhm @ 60A, 20V
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de périphérique fournisseur	D2PAK-7
Paquet / cas	TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA

NTBG028N170M1 Packaging

NTBG028N170M1 FAQ

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(1)Such as a deficiency in quantity, delivery of wrong items, and apparent external defects (breakage and rust, etc.), and we acknowledge such problems.

(2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of NTBG028N170M1.

(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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