Name: NTBG025N065SC1
Brand: onsemi
SKU: NTBG025N065SC1
Availability: InStock
Rating: 5 (142 reviews)

NTBG025N065SC1

Pour Référence Seulement

Référence	NTBG025N065SC1
Fabricant	onsemi
Description	SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - 1
Fiche technique
paquet	-
ECAD
En stock	6 999 piece(s)
Prix unitaire	Request a Quote
Délai de mise en œuvre	VÊtre confirmé
Temps de livraison estimé	oct. 27 - nov. 1 (Choisissez l'expédition accélérée)
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Spécifications NTBG025N065SC1

Fabricant	onsemi
Catégorie	Produits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet	-
ECAD
Séries	-
Type de FET	N-Channel
La technologie	SiCFET (Silicon Carbide)
Tension de drain à la source (Vdss)	650 V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	106A (Tc)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	15V, 18V
Vgs (th) (Max) @ Id	4.3V @ 15.5mA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	164 nC @ 18 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	3480 pF @ 325 V
Vgs (Max)	+22V, -8V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max)	395W (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs	28.5mOhm @ 45A, 18V
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de périphérique fournisseur	D2PAK-7
Paquet / cas	TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA

NTBG025N065SC1 Packaging

NTBG025N065SC1 FAQ

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(1)Such as a deficiency in quantity, delivery of wrong items, and apparent external defects (breakage and rust, etc.), and we acknowledge such problems.

(2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of NTBG025N065SC1.

(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

Two processes to return the products:

(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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