Name: NTBG014N120M3P
Brand: onsemi
SKU: NTBG014N120M3P
Availability: InStock
Rating: 5 (115 reviews)

NTBG014N120M3P

Pour Référence Seulement

Référence	NTBG014N120M3P
Fabricant	onsemi
Description	SIC MOSFET 1200 V 14 MOHM M3P SE
Fiche technique
paquet	-
ECAD
En stock	1 581 piece(s)
Prix unitaire	Request a Quote
Délai de mise en œuvre	VÊtre confirmé
Temps de livraison estimé	janv. 5 - janv. 10 (Choisissez l'expédition accélérée)
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Spécifications NTBG014N120M3P

Fabricant	onsemi
Catégorie	Produits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet	-
ECAD
Séries	-
Type de FET	N-Channel
La technologie	SiCFET (Silicon Carbide)
Tension de drain à la source (Vdss)	1200 V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	104A (Tc)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	15V, 18V
Vgs (th) (Max) @ Id	4.63V @ 37mA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	337 nC @ 18 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	6313 pF @ 800 V
Vgs (Max)	+22V, -10V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max)	454W (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs	20mOhm @ 74A, 18V
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de périphérique fournisseur	D2PAK-7
Paquet / cas	TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA

NTBG014N120M3P Packaging

NTBG014N120M3P FAQ

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(2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of NTBG014N120M3P.

(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

Two processes to return the products:

(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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