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NTB190N65S3HF

NTB190N65S3HF

NTB190N65S3HF

Pour Référence Seulement

Référence NTB190N65S3HF
Fabricant onsemi
Description MOSFET N-CH 650V 20A D2PAK-3
Fiche technique
paquet -
ECAD
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Spécifications NTB190N65S3HF

Fabricantonsemi
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet-
ECAD
SériesFRFET®, SuperFET® III
Type de FETN-Channel
La technologieMOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)650 V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C20A (Tc)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)10V
Vgs (th) (Max) @ Id5V @ 430µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs34 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds1610 pF @ 400 V
Vgs (Max)±30V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)162W (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs190mOhm @ 10A, 10V
Température de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Package de périphérique fournisseurTO-263 (D2PAK)
Paquet / casTO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

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Sealing
Packing
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NTB190N65S3HF FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that NTB190N65S3HF is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the NTB190N65S3HF. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including NTB190N65S3HF on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of NTB190N65S3HF products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the NTB190N65S3HF price and inventory displayed accurate?
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IL41050TA-3E

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FP25R12KE3BOSA1

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FIXED IND 1UH 7A 18.3 MOHM SMD

MOCD207R2M

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MIC5332-SSYMT-TR

IC REG LIN 3.3V/3.3V 8TMLF

REF195GS

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