Name: NP82N10PUF-E1-AY
Brand: Renesas
SKU: NP82N10PUF-E1-AY
Availability: InStock
Rating: 5 (151 reviews)

NP82N10PUF-E1-AY

Pour Référence Seulement

Référence	NP82N10PUF-E1-AY
Fabricant	Renesas
Description	NP82N10PUF-E1-AY - MOS FIELD EFF
Fiche technique
paquet	-
ECAD
En stock	0 piece(s)
Prix unitaire	Request a Quote
Délai de mise en œuvre	VÊtre confirmé
Temps de livraison estimé	juil. 8 - juil. 13 (Choisissez l'expédition accélérée)
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Spécifications NP82N10PUF-E1-AY

Fabricant	Renesas
Catégorie	Produits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet	-
ECAD
Séries	-
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)	100 V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	82A (Tc)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	5.8V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.3V @ 250µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	96 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	4350 pF @ 25 V
Vgs (Max)	±20V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max)	1.8W (Ta), 150W (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs	15mOhm @ 41A, 10V
Température de fonctionnement	175°C
Type de montage	Surface Mount
Package de périphérique fournisseur	TO-263-3
Paquet / cas	TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

NP82N10PUF-E1-AY Packaging

NP82N10PUF-E1-AY FAQ

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(2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of NP82N10PUF-E1-AY.

(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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