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NP82N055NUG-S18-AY

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NP82N055NUG-S18-AY

Pour Référence Seulement

Référence NP82N055NUG-S18-AY
Fabricant Renesas Electronics Corporation
Description MOSFET N-CH 55V 82A TO262
Fiche technique
paquet -
ECAD
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Spécifications NP82N055NUG-S18-AY

FabricantRenesas Electronics Corporation
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet-
ECAD
Séries-
Type de FETN-Channel
La technologieMOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)55 V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C82A (Tc)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)-
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs160 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds9600 pF @ 25 V
Vgs (Max)±20V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)1.8W (Ta), 143W (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs6mOhm @ 41A, 10V
Température de fonctionnement175°C
Type de montageThrough Hole
Package de périphérique fournisseurTO-262
Paquet / casTO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA

NP82N055NUG-S18-AY Packaging

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Sealing
Packing
Insepction

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  • 2. How does Heisener guarantee that NP82N055NUG-S18-AY is from the original manufacturer or authorized agents?
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