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NP82N04PDG-E1-AY

NP82N04PDG-E1-AY

NP82N04PDG-E1-AY

Pour Référence Seulement

Référence NP82N04PDG-E1-AY
Fabricant Renesas Electronics America
Description MOSFET N-CH 40V 82A TO-263
Fiche technique

NP82N04PDG-E1-AY Fiche technique

paquet TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
En stock 3 792 piece(s)
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Spécifications NP82N04PDG-E1-AY

FabricantRenesas Electronics America
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquetTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
Séries-
Type de FETN-Channel
La technologieMOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)40V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C82A (Tc)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs150nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds9000pF @ 25V
Vgs (Max)±20V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)1.8W (Ta), 143W (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs3.5 mOhm @ 41A, 10V
Température de fonctionnement175°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Package de périphérique fournisseurTO-263
Paquet / casTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

NP82N04PDG-E1-AY fiche technique

NP82N04PDG-E1-AY Packaging

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Packing
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NP82N04PDG-E1-AY FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that NP82N04PDG-E1-AY is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the NP82N04PDG-E1-AY price and inventory displayed accurate?
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  • 4. What forms of payment are accepted?
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  • 5. How is the shipping arranged?
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