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NP50N04YUK-E1-AY

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NP50N04YUK-E1-AY

Pour Référence Seulement

Référence NP50N04YUK-E1-AY
Fabricant Renesas Electronics Corporation
Description LOW VOLTAGE POWER MOSFET
Fiche technique
paquet -
ECAD
En stock 14 805 piece(s)
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Spécifications NP50N04YUK-E1-AY

FabricantRenesas Electronics Corporation
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet-
ECAD
Séries-
Type de FETN-Channel
La technologieMOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)40 V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C50A (Tc)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs57 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds3200 pF @ 25 V
Vgs (Max)±20V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)1W (Ta), 97W (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs4.8mOhm @ 25A, 10V
Température de fonctionnement175°C
Type de montageSurface Mount
Package de périphérique fournisseur8-HSON (5x5.4)
Paquet / cas8-PowerLDFN

NP50N04YUK-E1-AY Packaging

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Sealing
Packing
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NP50N04YUK-E1-AY FAQ

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    (1)Inform us within 90 days
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