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NP30N06QDK-E1-AY

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NP30N06QDK-E1-AY

Pour Référence Seulement

Référence NP30N06QDK-E1-AY
Fabricant Renesas Electronics Corporation
Description MOSFET 2N-CH 60V 30A 8HSON
Fiche technique
paquet -
ECAD
En stock 14 865 piece(s)
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Spécifications NP30N06QDK-E1-AY

FabricantRenesas Electronics Corporation
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Matrices
paquet-
ECAD
Séries-
Type de FETMOSFET (Metal Oxide)
Fonction FET-
Tension de drain à la source (Vdss)60V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C30A (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs14mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs38nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds2250pF @ 25V
Puissance - Max1W (Ta), 59W (Tc)
Température de fonctionnement175°C
Type de montageSurface Mount
Paquet / cas8-PowerLDFN
Package de périphérique fournisseur8-HSON (5x5.4)

NP30N06QDK-E1-AY Packaging

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Sealing
Packing
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NP30N06QDK-E1-AY FAQ

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