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NESG2101M05-T1-A

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Pour Référence Seulement

Référence NESG2101M05-T1-A
Fabricant Renesas Electronics Corporation
Description NESG2101 - NPN SIGE RF TRANSISTO
Fiche technique
paquet -
ECAD
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Spécifications NESG2101M05-T1-A

FabricantRenesas Electronics Corporation
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - Bipolaires (BJT) - RF
paquet-
ECAD
Séries-
Type de transistorNPN
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (Max)5V
Fréquence - Transition17GHz
Figure de bruit (dB Typ @ f)0.6dB ~ 1.2dB @ 1GHz ~ 2GHz
Gain11dB ~ 19dB
Puissance - Max500mW
Courant DC Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce130 @ 15mA, 2V
Courant - Collecteur (Ic) (Max)100mA
Température de fonctionnement-
Type de montageSurface Mount
Paquet / casSOT-343F
Package de périphérique fournisseurM05

NESG2101M05-T1-A Packaging

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Sealing
Packing
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NESG2101M05-T1-A FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that NESG2101M05-T1-A is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 6. What is the process for return or replacement of NESG2101M05-T1-A?
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    (1)Such as a deficiency in quantity, delivery of wrong items, and apparent external defects (breakage and rust, etc.), and we acknowledge such problems.
    (2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of NESG2101M05-T1-A.
    (3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.
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    (1)Inform us within 90 days
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