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NESG2031M05-T1-A

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Pour Référence Seulement

Référence NESG2031M05-T1-A
Fabricant Renesas Electronics Corporation
Description NESG2031 - NPN SIGE RF TRANSISTO
Fiche technique
paquet -
ECAD
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Spécifications NESG2031M05-T1-A

FabricantRenesas Electronics Corporation
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - Bipolaires (BJT) - RF
paquet-
ECAD
Séries-
Type de transistorNPN
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (Max)5V
Fréquence - Transition25GHz
Figure de bruit (dB Typ @ f)0.8dB ~ 1.3dB @ 2GHz ~ 5.2GHz
Gain10dB ~ 17dB
Puissance - Max175mW
Courant DC Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce130 @ 5mA, 2V
Courant - Collecteur (Ic) (Max)35mA
Température de fonctionnement-
Type de montageSurface Mount
Paquet / casSOT-343F
Package de périphérique fournisseurM05

NESG2031M05-T1-A Packaging

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Sealing
Packing
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NESG2031M05-T1-A FAQ

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    (3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.
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