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NESG2021M16-T3-A

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Pour Référence Seulement

Référence NESG2021M16-T3-A
Fabricant Renesas Electronics Corporation
Description RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
Fiche technique
paquet -
ECAD
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Spécifications NESG2021M16-T3-A

FabricantRenesas Electronics Corporation
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - Bipolaires (BJT) - RF
paquet-
ECAD
Séries-
Type de transistorNPN
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (Max)5V
Fréquence - Transition25GHz
Figure de bruit (dB Typ @ f)0.9dB ~ 1.3dB @ 2GHz ~ 5.2GHz
Gain10dB ~ 18dB
Puissance - Max175mW
Courant DC Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce130 @ 5mA, 2V
Courant - Collecteur (Ic) (Max)35mA
Température de fonctionnement-
Type de montageSurface Mount
Paquet / cas6-SMD, Flat Leads
Package de périphérique fournisseurM16, 1208

NESG2021M16-T3-A Packaging

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Sealing
Packing
Insepction

NESG2021M16-T3-A FAQ

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    (2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of NESG2021M16-T3-A.
    (3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.
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    (1)Inform us within 90 days
    (2)Obtain Requesting Return Authorizations
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