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NE3512S02-T1D-A

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Pour Référence Seulement

Référence NE3512S02-T1D-A
Fabricant Renesas Electronics Corporation
Description RF MOSFET HFET 2V S02
Fiche technique
paquet -
ECAD
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Spécifications NE3512S02-T1D-A

FabricantRenesas Electronics Corporation
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - RF
paquet-
ECAD
Séries-
Type de transistorHFET
La fréquence12GHz
Gain13.5dB
Tension - Test2 V
Note actuelle70mA
Chiffre de bruit0.35dB
Current - Test10 mA
Puissance - Sortie-
Tension - Classé4 V
Paquet / cas4-SMD, Flat Leads
Package de périphérique fournisseurS02

NE3512S02-T1D-A Packaging

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Sealing
Packing
Insepction

NE3512S02-T1D-A FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that NE3512S02-T1D-A is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the NE3512S02-T1D-A. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including NE3512S02-T1D-A on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of NE3512S02-T1D-A products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the NE3512S02-T1D-A price and inventory displayed accurate?
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    (1)Such as a deficiency in quantity, delivery of wrong items, and apparent external defects (breakage and rust, etc.), and we acknowledge such problems.
    (2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of NE3512S02-T1D-A.
    (3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.
    Two processes to return the products:
    (1)Inform us within 90 days
    (2)Obtain Requesting Return Authorizations
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