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NC1M120C75GTNG

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Pour Référence Seulement

Référence NC1M120C75GTNG
Fabricant NextGen Components
Description SiC MOSFET N 1200V 75mohm 47A 3
Fiche technique
paquet -
ECAD
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Spécifications NC1M120C75GTNG

FabricantNextGen Components
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet-
ECAD
SériesNC1M
Type de FETN-Channel
La technologieSiCFET (Silicon Carbide)
Tension de drain à la source (Vdss)1200 V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C47A (Tc)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)20V
Vgs (th) (Max) @ Id2.8V @ 5mA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs-
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds1450 pF @ 1000 V
Vgs (Max)+20V, -5V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)288W (Ta)
Rds sur (max) @ id, vgs75mOhm @ 20A, 20V
Température de fonctionnement-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montageThrough Hole
Package de périphérique fournisseurTO-247-3L
Paquet / casTO-247-3

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Packing
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NC1M120C75GTNG FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that NC1M120C75GTNG is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 5. How is the shipping arranged?
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    Warm Tips: It may take up to 24 hours for the carriers to display tracking information. Usually, express delivery takes 3-5 days, and registered mail takes 25-60 days.
  • 6. What is the process for return or replacement of NC1M120C75GTNG?
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    (1)Inform us within 90 days
    (2)Obtain Requesting Return Authorizations
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