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N0608N-ZK-E1-AY

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N0608N-ZK-E1-AY

Pour Référence Seulement

Référence N0608N-ZK-E1-AY
Fabricant Renesas Electronics Corporation
Description ABU / MOSFET
Fiche technique
paquet -
ECAD
En stock 35 700 piece(s)
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Spécifications N0608N-ZK-E1-AY

FabricantRenesas Electronics Corporation
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet-
ECAD
Séries-
Type de FETN-Channel
La technologieMOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)60 V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C52A (Tc)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 1mA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs37 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds1950 pF @ 25 V
Vgs (Max)±20V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)1W (Ta), 50.2W (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs14.3mOhm @ 26A, 10V
Température de fonctionnement150°C
Type de montageSurface Mount
Package de périphérique fournisseurTO-252
Paquet / casTO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63

N0608N-ZK-E1-AY Packaging

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Sealing
Packing
Insepction

N0608N-ZK-E1-AY FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that N0608N-ZK-E1-AY is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the N0608N-ZK-E1-AY price and inventory displayed accurate?
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