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MT3S113TU-LF

MT3S113TU-LF

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Pour Référence Seulement

Référence MT3S113TU-LF
Fabricant Toshiba Semiconductor and Storage
Description RF TRANS NPN 5.3V 11.2GHZ UFM
Fiche technique
paquet -
ECAD
En stock 7 506 piece(s)
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Spécifications MT3S113TU-LF

FabricantToshiba Semiconductor and Storage
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - Bipolaires (BJT) - RF
paquet-
ECAD
Séries-
Type de transistorNPN
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (Max)5.3V
Fréquence - Transition11.2GHz
Figure de bruit (dB Typ @ f)1.45dB @ 1GHz
Gain12.5dB
Puissance - Max900mW
Courant DC Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce200 @ 30mA, 5V
Courant - Collecteur (Ic) (Max)100mA
Température de fonctionnement150°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Paquet / cas3-SMD, Flat Lead
Package de périphérique fournisseurUFM

MT3S113TU-LF Packaging

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Sealing
Packing
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MT3S113TU-LF FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that MT3S113TU-LF is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the MT3S113TU-LF. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including MT3S113TU-LF on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of MT3S113TU-LF products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the MT3S113TU-LF price and inventory displayed accurate?
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  • 6. What is the process for return or replacement of MT3S113TU-LF?
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