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MT3S113P-TE12L-F

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Pour Référence Seulement

Référence MT3S113P-TE12L-F
Fabricant Toshiba Semiconductor and Storage
Description RF TRANS NPN 5.3V 7.7GHZ PW-MINI
Fiche technique
paquet -
ECAD
En stock 18 piece(s)
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Spécifications MT3S113P-TE12L-F

FabricantToshiba Semiconductor and Storage
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - Bipolaires (BJT) - RF
paquet-
ECAD
Séries-
Type de transistorNPN
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (Max)5.3V
Fréquence - Transition7.7GHz
Figure de bruit (dB Typ @ f)1.45dB @ 1GHz
Gain10.5dB
Puissance - Max1.6W
Courant DC Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce200 @ 30mA, 5V
Courant - Collecteur (Ic) (Max)100mA
Température de fonctionnement150°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Paquet / casTO-243AA
Package de périphérique fournisseurPW-MINI

MT3S113P-TE12L-F Packaging

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Sealing
Packing
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MT3S113P-TE12L-F FAQ

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  • 6. What is the process for return or replacement of MT3S113P-TE12L-F?
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