Name: MT3S113-TE85L-F
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: MT3S113(TE85L,F)
Availability: InStock
Rating: 5 (183 reviews)

MT3S113-TE85L-F

Pour Référence Seulement

Référence	MT3S113-TE85L-F
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Description	RF TRANS NPN 5.3V 12.5GHZ SMINI
Fiche technique
paquet	-
ECAD
En stock	8 601 piece(s)
Prix unitaire	Request a Quote
Délai de mise en œuvre	VÊtre confirmé
Temps de livraison estimé	nov. 17 - nov. 22 (Choisissez l'expédition accélérée)
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Spécifications MT3S113-TE85L-F

Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Catégorie	Produits à semiconducteurs discrets - Transistors - Bipolaires (BJT) - RF
paquet	-
ECAD
Séries	-
Type de transistor	NPN
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (Max)	5.3V
Fréquence - Transition	12.5GHz
Figure de bruit (dB Typ @ f)	1.45dB @ 1GHz
Gain	11.8dB
Puissance - Max	800mW
Courant DC Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	200 @ 30mA, 5V
Courant - Collecteur (Ic) (Max)	100mA
Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Paquet / cas	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Package de périphérique fournisseur	S-Mini

MT3S113-TE85L-F Packaging

MT3S113-TE85L-F FAQ

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(2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of MT3S113-TE85L-F.

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(1)Inform us within 90 days

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