Name: MT3S111P-TE12L-F
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: MT3S111P(TE12L,F)
Availability: InStock
Rating: 5 (111 reviews)

MT3S111P-TE12L-F

Pour Référence Seulement

Référence	MT3S111P-TE12L-F
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Description	RF TRANS NPN 6V 8GHZ PW-MINI
Fiche technique
paquet	-
ECAD
En stock	0 piece(s)
Prix unitaire	Request a Quote
Délai de mise en œuvre	VÊtre confirmé
Temps de livraison estimé	déc. 31 - janv. 5 (Choisissez l'expédition accélérée)
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Spécifications MT3S111P-TE12L-F

Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Catégorie	Produits à semiconducteurs discrets - Transistors - Bipolaires (BJT) - RF
paquet	-
ECAD
Séries	-
Type de transistor	NPN
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (Max)	6V
Fréquence - Transition	8GHz
Figure de bruit (dB Typ @ f)	1.25dB @ 1GHz
Gain	10.5dB
Puissance - Max	1W
Courant DC Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	200 @ 30mA, 5V
Courant - Collecteur (Ic) (Max)	100mA
Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Paquet / cas	TO-243AA
Package de périphérique fournisseur	PW-MINI

MT3S111P-TE12L-F Packaging

MT3S111P-TE12L-F FAQ

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(2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of MT3S111P-TE12L-F.

(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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(1)Inform us within 90 days

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