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MSCSM170AM039CD3AG

MSCSM170AM039CD3AG

MSCSM170AM039CD3AG

Pour Référence Seulement

Référence MSCSM170AM039CD3AG
Fabricant Microchip Technology
Description SIC 2N-CH 1700V 523A
Fiche technique
paquet -
ECAD
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Spécifications MSCSM170AM039CD3AG

FabricantMicrochip Technology
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Matrices
paquet-
ECAD
Séries-
Type de FETSilicon Carbide (SiC)
Fonction FET-
Tension de drain à la source (Vdss)1700V (1.7kV)
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C523A (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs5mOhm @ 270A, 20V
Vgs (th) (Max) @ Id3.3V @ 22.5mA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs1602nC @ 20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds29700pF @ 1000V
Puissance - Max2.4kW (Tc)
Température de fonctionnement-40°C ~ 175°C (TJ)
Type de montageChassis Mount
Paquet / casModule
Package de périphérique fournisseur-

MSCSM170AM039CD3AG Packaging

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Sealing
Packing
Insepction

MSCSM170AM039CD3AG FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that MSCSM170AM039CD3AG is from the original manufacturer or authorized agents?
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