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MSCSM120TLM50C3AG

MSCSM120TLM50C3AG

MSCSM120TLM50C3AG

Pour Référence Seulement

Référence MSCSM120TLM50C3AG
Fabricant Microchip Technology
Description SIC 4N-CH 1200V 55A SP3F
Fiche technique
paquet -
ECAD
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Spécifications MSCSM120TLM50C3AG

FabricantMicrochip Technology
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Matrices
paquet-
ECAD
Séries-
Type de FETSilicon Carbide (SiC)
Fonction FET-
Tension de drain à la source (Vdss)1200V (1.2kV)
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C55A (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs50mOhm @ 40A, 20V
Vgs (th) (Max) @ Id2.7V @ 1mA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs137nC @ 20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds1990pF @ 1000V
Puissance - Max245W (Tc)
Température de fonctionnement-40°C ~ 175°C (TJ)
Type de montageChassis Mount
Paquet / casModule
Package de périphérique fournisseurSP3F

MSCSM120TLM50C3AG Packaging

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Sealing
Packing
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MSCSM120TLM50C3AG FAQ

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  • 3. Are the MSCSM120TLM50C3AG price and inventory displayed accurate?
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    (1)Inform us within 90 days
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