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MSCSM120TLM16C3AG

MSCSM120TLM16C3AG

MSCSM120TLM16C3AG

Pour Référence Seulement

Référence MSCSM120TLM16C3AG
Fabricant Microchip Technology
Description SIC 4N-CH 1200V 173A SP3F
Fiche technique
paquet -
ECAD
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Spécifications MSCSM120TLM16C3AG

FabricantMicrochip Technology
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Matrices
paquet-
ECAD
Séries-
Type de FETSilicon Carbide (SiC)
Fonction FET-
Tension de drain à la source (Vdss)1200V (1.2kV)
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C173A (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs16mOhm @ 80A, 20V
Vgs (th) (Max) @ Id2.8V @ 2mA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs464nC @ 20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds6040pF @ 1000V
Puissance - Max745W (Tc)
Température de fonctionnement-40°C ~ 175°C (TJ)
Type de montageChassis Mount
Paquet / casModule
Package de périphérique fournisseurSP3F

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Packing
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