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MSCSM120TAM11CTPAG

MSCSM120TAM11CTPAG

MSCSM120TAM11CTPAG

Pour Référence Seulement

Référence MSCSM120TAM11CTPAG
Fabricant Microchip Technology
Description SIC 6N-CH 1200V 251A SP6-P
Fiche technique
paquet -
ECAD
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Spécifications MSCSM120TAM11CTPAG

FabricantMicrochip Technology
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Matrices
paquet-
ECAD
Séries-
Type de FETSilicon Carbide (SiC)
Fonction FET-
Tension de drain à la source (Vdss)1200V (1.2kV)
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C251A (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs10.4mOhm @ 120A, 20V
Vgs (th) (Max) @ Id2.8V @ 3mA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs696nC @ 20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds9060pF @ 1000V
Puissance - Max1.042kW (Tc)
Température de fonctionnement-40°C ~ 175°C (TJ)
Type de montageChassis Mount
Paquet / casModule
Package de périphérique fournisseurSP6-P

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Sealing
Packing
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MSCSM120TAM11CTPAG FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that MSCSM120TAM11CTPAG is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the MSCSM120TAM11CTPAG. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including MSCSM120TAM11CTPAG on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of MSCSM120TAM11CTPAG products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the MSCSM120TAM11CTPAG price and inventory displayed accurate?
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