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MSCSM120DAM31CTBL1NG

MSCSM120DAM31CTBL1NG

MSCSM120DAM31CTBL1NG

Pour Référence Seulement

Référence MSCSM120DAM31CTBL1NG
Fabricant Microchip Technology
Description PM-MOSFET-SIC-SBD-BL1
Fiche technique
paquet -
ECAD
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Spécifications MSCSM120DAM31CTBL1NG

FabricantMicrochip Technology
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet-
ECAD
Séries-
Type de FETN-Channel
La technologieSiCFET (Silicon Carbide)
Tension de drain à la source (Vdss)1200 V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C79A
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)20V
Vgs (th) (Max) @ Id2.8V @ 1mA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs232 nC @ 20 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds3020 pF @ 1000 V
Vgs (Max)+25V, -10V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)310W
Rds sur (max) @ id, vgs31mOhm @ 40A, 20V
Température de fonctionnement-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montageChassis Mount
Package de périphérique fournisseur-
Paquet / casModule

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Sealing
Packing
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MSCSM120DAM31CTBL1NG FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that MSCSM120DAM31CTBL1NG is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the MSCSM120DAM31CTBL1NG. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including MSCSM120DAM31CTBL1NG on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of MSCSM120DAM31CTBL1NG products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the MSCSM120DAM31CTBL1NG price and inventory displayed accurate?
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  • 4. What forms of payment are accepted?
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  • 5. How is the shipping arranged?
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  • 6. What is the process for return or replacement of MSCSM120DAM31CTBL1NG?
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