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MIP50R12E2ATN-BP

MIP50R12E2ATN-BP

MIP50R12E2ATN-BP

Pour Référence Seulement

Référence MIP50R12E2ATN-BP
Fabricant Micro Commercial Co
Description IGBT MODULES 1200V 50A, E2A
Fiche technique
paquet -
ECAD
En stock 15 piece(s)
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Spécifications MIP50R12E2ATN-BP

FabricantMicro Commercial Co
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - IGBT - Modules
paquet-
ECAD
Séries-
Type IGBT-
ConfigurationThree Phase Inverter
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (Max)1200 V
Courant - Collecteur (Ic) (Max)50 A
Puissance - Max288 W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.3V @ 15V, 50A
Current - Collector Cutoff (Max)1 mA
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce2.6 nF @ 25 V
ContributionThree Phase Bridge Rectifier
Thermistance NTCYes
Température de fonctionnement-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montageChassis Mount
Paquet / casModule
Package de périphérique fournisseurE2A

MIP50R12E2ATN-BP Packaging

Customized Labels
Sealing
Packing
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MIP50R12E2ATN-BP FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that MIP50R12E2ATN-BP is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 6. What is the process for return or replacement of MIP50R12E2ATN-BP?
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