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MCB60I1200TZ-TUB

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MCB60I1200TZ-TUB

Pour Référence Seulement

Référence MCB60I1200TZ-TUB
Fabricant IXYS
Description SICFET N-CH 1.2KV 90A TO268AA
Fiche technique
paquet -
ECAD
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Spécifications MCB60I1200TZ-TUB

FabricantIXYS
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet-
ECAD
Séries-
Type de FETN-Channel
La technologieSiCFET (Silicon Carbide)
Tension de drain à la source (Vdss)1200 V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C90A (Tc)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)20V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 15mA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs160 nC @ 20 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds2790 pF @ 1000 V
Vgs (Max)+20V, -5V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)-
Rds sur (max) @ id, vgs34mOhm @ 50A, 20V
Température de fonctionnement-40°C ~ 175°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Package de périphérique fournisseurTO-268AA (D3Pak-HV)
Paquet / casTO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA

MCB60I1200TZ-TUB Packaging

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Sealing
Packing
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  • 2. How does Heisener guarantee that MCB60I1200TZ-TUB is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the MCB60I1200TZ-TUB price and inventory displayed accurate?
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  • 4. What forms of payment are accepted?
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  • 5. How is the shipping arranged?
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    Once your order has been processed for shipment, our salesperson will send you an email advising you of the shipping status and tracking number.
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  • 6. What is the process for return or replacement of MCB60I1200TZ-TUB?
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    (2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of MCB60I1200TZ-TUB.
    (3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.
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    (1)Inform us within 90 days
    (2)Obtain Requesting Return Authorizations
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