Name: LSIC1MO120E0080
Brand: Littelfuse Inc.
SKU: LSIC1MO120E0080
Availability: InStock
Rating: 5 (71 reviews)

LSIC1MO120E0080

Pour Référence Seulement

Référence	LSIC1MO120E0080
Fabricant	Littelfuse Inc.
Description	SICFET N-CH 1200V 39A TO247-3
Fiche technique
paquet	-
ECAD
En stock	0 piece(s)
Prix unitaire	Request a Quote
Délai de mise en œuvre	VÊtre confirmé
Temps de livraison estimé	oct. 16 - oct. 21 (Choisissez l'expédition accélérée)
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Spécifications LSIC1MO120E0080

Fabricant	Littelfuse Inc.
Catégorie	Produits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet	-
ECAD
Séries	-
Type de FET	N-Channel
La technologie	SiCFET (Silicon Carbide)
Tension de drain à la source (Vdss)	1200 V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	39A (Tc)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	20V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 10mA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	95 nC @ 20 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1825 pF @ 800 V
Vgs (Max)	+22V, -6V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max)	179W (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs	100mOhm @ 20A, 20V
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C
Type de montage	Through Hole
Package de périphérique fournisseur	TO-247AD
Paquet / cas	TO-247-3

LSIC1MO120E0080 Packaging

LSIC1MO120E0080 FAQ

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(2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of LSIC1MO120E0080.

(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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