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IXYN120N65C3D1

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IXYN120N65C3D1

Pour Référence Seulement

Référence IXYN120N65C3D1
Fabricant IXYS
Description IGBT PT 650V 190A SOT227B
Fiche technique
paquet -
ECAD
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Spécifications IXYN120N65C3D1

FabricantIXYS
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - IGBT - Simples
paquet-
ECAD
SériesGenX3™, XPT™
Type IGBTPT
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (Max)650 V
Courant - Collecteur (Ic) (Max)190 A
Courant - Collecteur Pulsé (Icm)620 A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.8V @ 15V, 100A
Puissance - Max830 W
Changer d'énergie1.25mJ (on), 500µJ (off)
Type d'entréeStandard
Charge de porte265 nC
Td (on / off) à 25 ° C28ns/127ns
Condition de test400V, 50A, 2Ohm, 15V
Temps de récupération inversé (trr)29 ns
Température de fonctionnement-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montageChassis Mount
Paquet / casSOT-227-4, miniBLOC
Package de périphérique fournisseurSOT-227B

IXYN120N65C3D1 Packaging

Customized Labels
Sealing
Packing
Insepction

IXYN120N65C3D1 FAQ

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  • 3. Are the IXYN120N65C3D1 price and inventory displayed accurate?
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  • 4. What forms of payment are accepted?
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  • 5. How is the shipping arranged?
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    (1)Inform us within 90 days
    (2)Obtain Requesting Return Authorizations
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