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IXYN120N65B3D1

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IXYN120N65B3D1

Pour Référence Seulement

Référence IXYN120N65B3D1
Fabricant IXYS
Description IGBT PT 650V 250A SOT227B
Fiche technique
paquet -
ECAD
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Spécifications IXYN120N65B3D1

FabricantIXYS
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - IGBT - Simples
paquet-
ECAD
SériesGenX3™, XPT™
Type IGBTPT
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (Max)650 V
Courant - Collecteur (Ic) (Max)250 A
Courant - Collecteur Pulsé (Icm)770 A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic1.9V @ 15V, 100A
Puissance - Max830 W
Changer d'énergie1.34mJ (on), 1.5mJ (off)
Type d'entréeStandard
Charge de porte250 nC
Td (on / off) à 25 ° C30ns/168ns
Condition de test400V, 50A, 2Ohm, 15V
Temps de récupération inversé (trr)28 ns
Température de fonctionnement-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montageChassis Mount
Paquet / casSOT-227-4, miniBLOC
Package de périphérique fournisseurSOT-227B

IXYN120N65B3D1 Packaging

Customized Labels
Sealing
Packing
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IXYN120N65B3D1 FAQ

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  • 3. Are the IXYN120N65B3D1 price and inventory displayed accurate?
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  • 4. What forms of payment are accepted?
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  • 5. How is the shipping arranged?
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    Once your order has been processed for shipment, our salesperson will send you an email advising you of the shipping status and tracking number.
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    (1)Inform us within 90 days
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DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AL

B5B-PH-K-S(LF)(SN)

CONN HEADER PH TOP 5POS 2MM

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